一、SiP 封裝概述
系統(tǒng)級封裝 SiP（Single In-line Package），是一種單列直插式集成電路封裝技術(shù)。其引腳設(shè)計為從封裝單側(cè)引出且呈直線排列，當(dāng)裝配至印刷電路板時，SiP 封裝呈現(xiàn)側(cè)立狀態(tài)。該封裝技術(shù)規(guī)定引腳中心距為 2.54mm，引腳數(shù)量通常在 2 至 23 個之間，且多為定制化產(chǎn)品。
從功能實現(xiàn)角度，SiP 封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如 MEMS 或者光學(xué)器件等其他器件進行優(yōu)先組裝，形成一個具有一定功能的單個標(biāo)準(zhǔn)封裝件，從而構(gòu)成一個完整的系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。
二、SiP 封裝類型
依據(jù)目前業(yè)界的設(shè)計類型及結(jié)構(gòu)，SiP 封裝可分為三類：2D SiP、堆疊 SiP 和 3D SiP。
2D SiP 封裝 ：在同一個封裝基板上，將芯片以二維模式一個挨一個排列，最終封裝在一個封裝體內(nèi)。
堆疊 SiP 封裝 ：在一個封裝中，采用物理方法將兩個或多個芯片進行堆疊整合，然后進行封裝。
3D SiP 封裝 ：在 2D 封裝的基礎(chǔ)上，將多個芯片、封裝芯片、多芯片甚至圓片進行疊層互聯(lián)，形成三維立體封裝結(jié)構(gòu)，也稱作疊層型 3D 封裝。
三、SiP 封裝工藝
SiP 封裝的核心工藝涵蓋晶圓減薄、芯片貼裝、互連形成和封裝體構(gòu)建等關(guān)鍵步驟。
（一）晶圓準(zhǔn)備與減薄
原始晶圓厚度約為 700pm，需研磨至 200pm 以下，對于疊層存儲芯片更是需要減薄至 50pm。該流程具體包括貼膜保護、背面研磨以及清洗環(huán)節(jié)，每一步都需謹(jǐn)慎操作，以防止芯片受損。
（二）芯片貼裝（Die Attach）
采用銀膠（環(huán)氧樹脂與銀粉的混合物）將芯片粘接于基板之上，同時要對溫度（120°C）和壓力進行精準(zhǔn)控制，以確保芯片與基板粘接的牢固性。此過程的關(guān)鍵設(shè)備包括固晶機、Pick up head 等。
（三）互連技術(shù)
引線鍵合 (Wire Bonding) ：采用傳統(tǒng)金 / 銅線連接方式實現(xiàn)芯片與基板的互連。
倒裝焊 (Flip Chip) ：借助凸點直接連接芯片與基板，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的連接密度。
（四）封裝體構(gòu)建
包括錫膏印刷、回流焊、清洗以及最終的包封保護等一系列操作。
根據(jù)芯片與基板的連接方式，SiP 封裝制程主要分為引線鍵合封裝和倒裝焊封裝兩種類型。
四、引線鍵合封裝工藝流程
五、SiP 封裝的應(yīng)用領(lǐng)域
SiP 封裝技術(shù)以其高度集成、節(jié)省空間的優(yōu)勢，在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。在消費電子領(lǐng)域，隨著電子設(shè)備不斷向小型化、多功能化發(fā)展，SiP 封裝能夠?qū)⒍喾N功能模塊集成在一起，滿足如智能手機、平板電腦等設(shè)備對于高性能、小尺寸的要求。例如，可將處理器、存儲器、射頻模塊等功能芯片進行 SiP 封裝，從而實現(xiàn)設(shè)備的高速數(shù)據(jù)處理、大容量存儲以及穩(wěn)定的通信功能。
在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點通常需要具備多種功能，如環(huán)境感知、數(shù)據(jù)處理和無線通信等，而 SiP 封裝可以將微處理器、傳感器、通信芯片等集成在一個小型封裝內(nèi)，為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的快速部署和高效運行提供有力支持。
在汽車電子方面，SiP 封裝可用于車載信息系統(tǒng)、高級駕駛輔助系統(tǒng)等，將多種芯片集成封裝，能夠提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性，同時也有助于減小汽車電子模塊的體積，為汽車的智能化、電動化發(fā)展提供技術(shù)支撐。
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